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5其特征在于所述气流导向装置(20)各通气孔(2-3)与该炉的排气口(13)通过通气管(19)相连通。7，根据权利要求6所述的直拉式单晶生长炉，其特征在于所述气流导向装置(20)由石墨制成。其包括中轴孔，一对电极孔，以及与排气口相对的通气孔，石墨中轴穿过所述气流导向装置的中轴孔，所述电极柱分别穿过所述电极孔，排气口与气流导向装置的各通气孔相连通。本发明了一种直拉式单晶生长炉氩气流量为30L/min。还包括设于坩埚支持器下方和排气口之间的碗形气流导向装置气流导向装置的上端部设于保温筒与发热体之间。与氩气输入管相连通的环形气体分布器，其特征在于经氩气输入管输入的氩气气压为0.8×10³Pa0.9×10³Pa。

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进一步地，所述真空部件12设有除尘系统。当挥发物产生后，到达一定浓度时，抽真空，将挥发物从炉体内抽走，尽可能地不让挥发物接触、粘附到观察窗上；之所以设置除尘系统，是因为挥发物中含有的均是金属氧化物，不及时的话，容易堵塞真空部件的元器件，不利于连续生产。提高稳定性。支撑柱在炉体支撑的上面，便于下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术，简便干净。全自动控制系统采用模块化设计，维护方便，可靠性高，抗干扰性好。双摄像头实时采集晶体直径信息。液面测温确保下籽晶温度和可重复性。炉内温度或加热率控制方式可选，保控温精度。质量流量计控制氩气流量。高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。单晶硅生长炉的特点HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计上筒和上盖可以上升并向两边转动上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用，即可满足转动所需的扭矩，又可实现转速的控制。质量流量计控制氩气流量。