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回收多晶硅铸锭炉+扬州高邮分子泵回收的公司

文章来源:shxj365 发布时间:2024-05-01 04:30:44
多晶硅铸锭炉扬州高邮分子 升速范围:0.02~1mm/min21,坩埚快速:≥100mm/min22,坩埚在炉内有效行程:400mm23。封头炉盖高度:410mm14,副炉室尺寸:φ280×250015,籽晶转速范围:1~40rpm16,籽晶拉速范围:0.2~8mm/min17,籽晶快速:≥350mm/min18。晶体直径:¢6〞~¢8〞10,熔料量:90Kg11,主炉室尺寸:φ90 下炉室尺寸:φ900×350mm12。冷炉极限真空度:<3Pa9翻板阀通径:φ280mm13籽晶在炉内有效行程:3500mm19坩埚转速范围:1~30rpm24主机重量:约7500Kg。在单晶生长过程中会形成硅氧化物(SiO)小颗粒并沉积在波纹管中。这些氧化物应被定期出去。将波纹管从坩埚轴密封一恻松。将它在适当位置系好以防止它往下回去。 用真空吸尘器所有的灰尘,包括磁流体密封座的密封表面上的灰尘檫拭干净后装回波纹管。

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坩埚 速度与转速,保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶,而速度将直接影响到晶体的内在质量,而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。温度分布合适的热场,不仅单晶生长顺利,而且品质较高,如果热场的温度分布不是很合理,生长单晶的过程中容易产生各种缺陷,影响质量,情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资单晶生长企业的前期,一定要根据生长设备,配置出合理的热场。提拉速度与转速单晶炉热场的设计与单晶直径在生长过程中可受到温度从而保生产出来的单晶的品质。在晶体生长分析与设计中,实验与数值是相辅相成的,其过程可以分为两个部分:(1)在阶段,利用引上法晶体生长实验来进行数值模拟参数的调整。(2)在第二阶段,利用数值模拟是用来确定佳的晶体生长工艺参数。 单晶炉炉室壳体均用不锈钢制成,因此焊接一般都是采用钨极氩弧焊或熔化极氩弧焊工艺。采用氩弧焊具有氩气的保护作用,焊缝的强度高,耐腐蚀性好,氩弧的温度高,热量集中,并由于氩气流的冷却作用,焊缝的热影响小。焊件的变形小,焊接时无焊渣,不需清渣,并无渣等缺陷。虽然奥氏体不锈钢具有良好的可焊性,但如果焊接材料选用不当或焊接工艺不正确,也会产生很多问题,如:晶间腐蚀、热裂缝和气孔。

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